Китайское железо что ли
На протяжении столетий совершались попытки определить, когда железо было впервые использовано в Китае, но до недавнего времени можно было опираться только на письменные источники. Ситуация изменилась после раскопок в уезде Хай(”Hui”), провинции Хэнань(1950-1952г). Был найден 161 железный предмет(оружие, инструменты, украшения), которые датировались Эпохой Враждующих Царств. Затем в 1953 году на раскопках в уезде Синлун провинции Хэбэй были найдены чугунные формы для литья железа(III в. до н.э.).
Дополнительная информация
Интересен был не только их металлографический анализ, но и сам факт находок, датировавшихся IV в. до н.э., был крайне важен сам по себе.
До сих пор известны далеко не все подробности зарождения и раннего развития китайской металлургии, пошедшей своим, сильно отличающимся от западного, путем.
Истоки китайской металлургии железа и стали
Следует учитывать, что несмотря на то, что железо присутствовало в Китае уже в периоде Весен и Осеней, раскопки захоронений периода Цинь доказывают, что обладавшая преимущественно бронзовым снаряжением армия Цинь, победившая во вражде Семи Царств, была в состоянии достойно противостоять даже противникам с железным вооружением.
Анализ одного короткого меча показал, что содержание углерода в нем равно нулю, то есть железные клинки того периода были мягче бронзовых, и бронза не уступало железу по качеству.
Даже в конце периода Восточного Чжоу железо не могло еще полностью заменить бронзу – оно было все еще достаточно мягким и по характеристикам не превосходило хорошую бронзу.
Широкое использование железа в Китае, так же, как и в других регионах цивилизованного Древнего мира, началось в середине 1-го тысячелетия до н.э. Датируемое VII-VI вв. до н.э. древнекитайское сочинение «Шаншу» в разделе «Юйгун» описывает технологии разработки железных руд и производства из них металла, применявшиеся в провинции Сычуань. Другими известными регионами металлургии железа являются провинции Шанси, Гайшань и Чилили.
По выводам исследователей, плавка железа скорее всего была изобретена на юге (государство Ву). Возможно, дать первое железо могла железная руда, используемая для уменьшения температуры плавления меди в медно-плавильных печах. Хотя еще нет точных доказательств, что процесс литья был открыт на юге, в Ву, это вполне возможно, тем более что технология доменных печей была введена впервые именно там. Наиболее древние железные предметы находили на северо-западе Китая (Синцзянь).
Методы получения высококачественной стали в Древнем Китае
Одна из технологий получения стали из чугуна была разработана в Китае во II веке до н.э. Этот трудоемкий процесс назывался «сотня очисток»(«Чао»). Он заключался в том, что чугун, расплавленный до пастообразной массы(при температуре около 1000 градусов), начинали интенсивно обдувать воздухом, размешивая расплав железным прутом. Благодаря этому происходило окисление углерода. Об этом способе упоминается в даосском трактате «Хуайнань-цзы»(«Учителя из Южного Заречья», 180-122 гг. до н.э.).
Другой, более древний способ получения высококачественнойстали, заключался в науглероживании кричного железа: в печи при контакте с углем поверхностный слой железа науглероживался. Затем железо обрабатывали молотом и вновь помещали в печь. Однако в ходе многократной обработки терялось до 90% исходной крицы. Производство железа в Китае, по сути, основано больше на производстве чугуна. Существует также версия, что кричный горн вообще не был известен в Китае.
В 60-е годы в Цзянлине, провинция Хубэй, был найден меч юэского князя Гоу Цзяня(496-465 до н.э.), весьма прояснивший уровень оружейного дела той эпохи.
Меч имеет длину около 55.6 см и 5см ширины, клинок изукрашен ромбовидным орнаментом, имеется также инструктированный синей глазурью узор, что показывает высокий уровень развития тогдашнего металлургического и кузнечного искусства.
В середине и в конце эпохи Враждующих Царств стальные мечи уже могли достигать длины в 1.2-1.4 метра(преимущественно двуручные), бронзовые – 80см (ранее средняя их длина была около 60 см).
Эпоха Цинь(221 – 207г до н.э.) – бронзовые мечи достигают 90 см, их рукоять удлиняется достаточно для двуручного хвата. Тогда же было изобретено антикоррозийное покрытие из оксида хрома для бронзовых мечей (хотя есть сведения, что такая технология существовала еще с 7 в. до н.э.). Эта технология была утеряна около 2 тысяч лет до того, как аналогичные процессы были вновь изобретены в 1937 и 1950х годах немцами и американцами, соответственно.
В царствование же династии Хань (206 г. до н.э. – 220 г. н.э.) бронзовые мечи были окончательно вытеснены железными и стальными. После воцарения династии Цзинь в 265 году мечи как главный вид вооружения войска уступили свое место саблям – оружию, имеющему клинок с односторонним лезвием и более простому в обращении, чем обоюдоострый меч.
Китай, как и большинство восточных стран, по своей культуре, духу и мировоззрению сильно отличается от западных стран с самых древних времен. Следовательно, его сфера производства также является оригинальной по своей сути и заслуживает особого внимания.
Рассмотрев различные аспекты металлургии железа и стали в Древнем Китае, мы можем утверждать, что в них присутствовали серьезные отличия от европейских, как и в случае с медью и чугуном. Ранние антикоррозийные покрытия, позволившие исследователям найти хорошо сохранившиеся экземпляры того времени, уникальные способы получения высококачественной стали, прочная связь с чугунолитейным производством и другие особенности китайской металлургии делают ее интересным объектом для исследований даже в наши дни.
На протяжении столетий совершались попытки определить, когда железо было впервые использовано в Китае, но до недавнего времени можно было опираться только на письменные источники.
Новое поколение препаратов железа – бисглицинат (хелат) железа
Распространенность анемии
Значимость анемии как проблемы современного мира не вызывает сомнений. Несмотря на все достижения цивилизации, дефицит железа является основным и наиболее распространенным нарушением питания в мире. Дефицит железа, от которого страдают многие дети и женщины в развивающихся странах, является единственным видом недостаточности питательных веществ, который также в значительных масштабах распространен в экономически развитых странах. Уровни его распространенности поражают: 2 миллиарда человек, то есть более 30% населения мира, страдают от анемии. 1
Среди анемий ведущими являются железодефицитные, составляя в структуре у женщин до 90% и среди мужчин — до 80%. Важным является высокая распространенность среди населения латентного дефицита железа, которая колеблется от 19,5% до 30%, кроме того, от 50% до 86% женщин имеют факторы риска развития анемии.
Железодефицитная анемия (ЖДА) — заболевание системы крови, обусловленное дефицитом железа в организме, сопровождаетcя изменениями параметров его метаболизма, уменьшением концентрации гемоглобина в эритроцитах, количественными и качественными их изменениями и клинически выражается анемической гипоксией и сидеропенией.
Сидеропения и развивающаяся в последующем тканевая и гемическая гипоксия приводят к расстройствам сердечно-сосудистой (миокардиодистрофия и нарушение кровообращения различной степени), нервной системы (вегетативно-сосудистые, вестибулярные нарушения, астенический синдром), снижению детородной функции женщин, а также развитие осложнений во время беременности и родов, изменению интеллекта и поведенческих настроений, хронизацию различных заболеваний и как следствие снижение работоспособности и ухудшение качества жизни. 4
Эволюция синтетических лекарственных средств терапии железодефицитной анемии
Фармакотерапия ЖДА базируется на введение в организм железа из состава железосодержащих лекарственных средств. Выбору препарата для коррекции сидеропении придается особое значение, так как важна не только эффективность, но и отсутствие побочных реакций и осложнений при их применении.
Существует условное деление препаратов железа на двух- и трёхвалентные. Однако, сама по себе валентность железа не представляет какой-либо ценности.
Известно, что всасывание железа в кишечнике возможно лишь тогда, когда микроэлемент находится в двухвалентной форме, которая способна проходить через клеточную мембрану слизистой оболочки кишечника. Низкое значение рН желудочного содержимого способствует растворению алиментарного железа и переходу трехвалентного железа (окисное) в двухвалентную форму (закисное). 17
При поступлении желудочного содержимого в кишечник рН пищевого комка повышается и в отличие от ферро-иона (Fe2+), ферри-ион (Fe3+) образует нерастворимые соли. В этих условиях только муцин, хелатируя железо, способен поддержать ферри-ион в растворимом состоянии. 4
Таким образом, соединения железа в составе препаратов должны обладать хорошей растворимостью, высокой биодоступностью, достаточным содержанием элементарного железа и малой токсичностью. Рассмотрим особенности абсорбции каждой из трёх известных групп препаратов железа.
Первое поколение препаратов железа
Одной из первых групп препаратов железа стали применять ионные соли двухвалентного железа. Эта группа характеризуется довольно быстрым наступлением эффекта в плане повышения гемоглобина и улучшения гемодинамических показателей в периферической крови.
Тем не менее, лечение ионными препаратами железа, в частности сульфатом железа, вызывает побочные реакции у 44,7% пациентов. Чаще всего страдает желудочно-кишечный тракт (ЖКТ). Симптомы дисфункции его верхних отделов обычно проявляются в течение часа после приема лекарства и могут протекать как в легкой (тошнота, дискомфорт в эпигастрии), так и в тяжелой форме — с болью в животе и/ или рвотой. Кроме того, ферротерапия солевыми препаратами железа нередко сопровождается появлением металлического привкуса в течение первых дней лечения, потемнением зубной эмали и десен, возможны также диарея или запор. хорошо известно, что солевые препараты железа в просвете кишечника взаимодействуют с компонентами пищи, лекарствами, затрудняя абсорбцию в том числе и железа. В связи с этим, их рекомендуют назначать за 1 час до приема пищи, однако это усиливает повреждающее действие соединений Fe2+ на слизистую кишечника, вплоть до развития ее некроза. 5
Причиной возникновения данных побочных явлений является гидролиз солей железа в желудке. Под действием желудочного сока ионные соли железа подвергаются гидролизу(диссоциации) в желудке, в результате чего свободные молекулы железа негативно воздействуют на слизистую оболочку ЖКТ и провоцируют возникновение побочных эффектов: тошнота, боль в животе, металлический привкус во рту, диарея/запор.
Второе поколение препаратов железа
Абсорбция железа в виде гидроксид-полимальтозного комплекса (ГПК) железа-III имеет принципиально иную схему по сравнению с его ионными соединениями и осуществляется путем активного всасывания при конкурентном обмене лигандами, уровень которых определяет скорость абсорбции железа Fe3+. Неионная структура, обеспечивающая стабильность комплекса и перенос железа с помощью транспортного белка, предотвращает в организме свободную диффузию ионов железа, то есть прооксидантные реакции. Однако биодоступность полимальтозного комплекса железа-III самая низкая среди всех препаратов железа, всего 10–15%.
В связи с большим размером молекулы (55 kDa), ее пассивная диффузия примерно в 40 раз медленнее, чем у ионов железа. 6 Такую низкую биодоступность приходится компенсировать большими суточными дозами ГПК.
Новое поколение препаратов железа — новое решение проблемы анемии
С конца 90-х начала 2000-х годов начали активно внедрять применение хелатных комплексов железа для терапии дефицита железа и анемии у людей. Хотя данная группа препаратов появилась гораздо раньше, и использовалась изначально в качестве пищевых добавок и в ветеринарии.
В 1893 году Альфред Вернер выдвинул постулат о новой молекулярной структуре, характеризующей эти стабильные молекулы. Спустя несколько лет, в 1920 году Морган и Дрю применили термин «хелат» к молекулярной структуре, постулированной Вернером. 7
Хелаты металлов представляют собой комплексные соединения металла с аминокислотой.
В отличие от солей металлов, лиганд в хелатном комплексе отдает электроны катиону, делая тем самым молекулу ионно-нейтральной, устойчивой к разным факторам, действующим в желудочно-кишечном тракте (рН, пища), а низкая молекулярная масса способствует максимальному усвоению железа при пероральном приеме. 8
Хелатные комплексы легче проникают через стенку кишечника и лучше усваиваются, не нарушая ионный и минеральный баланс клетки. 10
Бисглицинат железа состоит из одной молекулы железа, которая соединена с карбоксильными группами двух молекул глицина при помощи ковалентных связей.
Соотношение железа к лиганду 1:2 нейтрализует валентность железа, что обеспечивает его стойкость к разным факторам, действующим в желудочно-кишечном тракте (рН, пища). Поэтому соединение хелата не поддается гидролизации в желудке, полностью абсорбируется в тонком кишечнике и в неизмененном виде попадает внутрь энтероцитов, где и происходит высвобождение молекулы железа. 8
Бисглицинат железа — это источник негемированного железа. После перорального применения соединение в неизмененном виде попадает в энтероциты, где гидролизируется на железо и глицин. Стабильность соединения бисглицината железа объясняется тем, что оно не гидролизируется при разных значениях рН, а низкая молекулярная масса (204 г/моль) способствует максимальному усвоению железа при пероральном приеме. 8
В составе Multizan ® Феррум бисглицинат железа представлен запатентованным комплексом Ferrochel ® компании Albion Minerals — мировым лидером и новатором в области минерального аминокислотного хелатного питания.
Уникальная гамма хелатных минералов Albion ® :
Даже с повышенной биодоступностью бисглицинат железа безопасен. Всасывание контролируется запасами железа в организме, при этом большие количества обычно усваиваются людьми с более низким статусом железа. Организм, страдающий железодефицитной анемией, может потреблять 90% железа, в то время как организм, не страдающий железодефицитной анемией, может потреблять всего 10%, или ровно столько, сколько необходимо организму для компенсации потерь в метаболизме. Было обнаружено, что бисглицинат железа Ferrochel ® в 2,6 раза безопаснее, чем сульфат железа, и безопаснее, чем обычное неорганическое железо, содержащееся в пищевых продуктах и пищевых добавках. 13
Сравнительная таблица доз LD50 (cредняя доза вещества, вызывающая гибель половины членов испытуемой группы) различных препаратов железа при пероральном введении белым мышам. 14, 15, 16
Какое железо можно брать с AliExpress
Диапазон 1200-1500 рублей, 4+ теплотрубки
Пару лет назад китайские сумрачные гении осилили производство кулеров для процессоров, так что теперь Ali просто наводнен ими. Однако нужно понимать, что огромное количество представленных там вариантов банально неэффективны.
Во-первых, сразу отсекаем трехвентиляторных монстров: легко заметить, что ни один из известных производителей кулеров не использует больше двух ветродуев, и это легко объяснить: как показывают тесты (есть в видео), даже в случае с крутыми башнями от Noctua установка второго вентилятора снижает температуру процессора от силы на пару градусов, так что кулер с тремя вентиляторами — это в прямом смысла выброшенные на воздух деньги.
Во-вторых, не заглядывайтесь на дешевые (500-600 рублей) решения с одной-двумя теплотрубками: практика показывает, что сделаны они не очень хорошо, а в России за эти же деньги есть парочка вариантов от DeepCool качеством куда выше.
Самый оптимальный вариант — это суперкулеры с двумя радиаторами с 4-6 теплотрубками и одним-двумя 92-120 мм вентиляторами. Их стоимость колеблется в районе 1200-1500 рублей: в России за эти деньги вы возьмете в лучшем случае однорадиаторный Zalman, так что выигрыш тут очевиден. Такие кулеры вполне способны справиться даже с горячими Core i7 в разгоне, так что их можно брать вместе с такими процессорами с Ali для апгрейда.
Что касается конкретных компаний, то можно отметить Kllisre, Alseye и Aigo — их решения обычно выше качеством, но и несколько дороже полных noname. Но, в любом случае, все равно читайте отзывы, так как новые решения тут появляются чуть ли не каждую неделю.
У этих кулеров два недостатка. Во-первых, это вентиляторы, подключенные по 3 pin. Иными словами, управлять их оборотами можно только изменяя напряжение — а ведь это может не каждая плата, особенно относительно старая или вообще китайская, да и пределы тут заданы уже, чем для 4 pin решений.
Во-вторых, это кривая подошва. Даже именитым производителям нередко не удается сделать ровную поверхность у 4-6 теплотрубок, чего уж тут говорить о китайцах. Так что перед установкой кулера приложите к нему линейку — если какая-то из теплотрубок выступает или есть существенные зазоры, то можете смело открывать спор, ибо на температурах это скажется негативно (когда бабки вернут можно ее аккуратно шлифануть, если вы не рукожоп видео есть в ютубе).
Б/у, но не после майнинга
Видеокарт, как и процессоров, на Ali хватает: есть и новые варианты, но больше всего б/у. Рассматривать первые особого смысла нет: это обычно решения внутрикитайских брендов без гарантии в России, а с учетом стоимости, сравнимой с компьютерными магазинами у нас, брать их точно нет никакого смысла.
С б/у все значительно интереснее. В большинстве своем это решения, которые не были в майнинге (но это не точно), и они имеют все заводские пломбы. Их чаще всего использовали в игровых клубах, которые в Китае очень распространены, а после обновления ПК их выставили на продажу по очень вкусным ценам.
Из огромной массы представленных на Ali вариантов интересных не очень много. Оптимальный минимум — это Nvidia GTX 950/960 2 ГБ: такая видеокарта еще способна выдать больше 30 fps даже в самых тяжелых проектах в FHD-разрешении на низких настройках графики, а в киберспортивных играх легко достигает 60 и даже 100 fps далеко не на минималках. Средняя цена такого GPU — порядка 4-4.5 тысяч рублей.
Если же low-настройки графики вас не устраивают, то на пару тысяч дороже можно найти AMD RX 470/480/570/580 с 4 ГБ видеопамяти. Эти решения уже куда веселее — они позволяют комфортно играть в тяжелые игры на средних и даже высоких настройках графики, а хиты прошлых лет, типа Ведьмак 3, неплохо идут даже на ultra-пресете.
Ну а если денег совсем нет, но поиграть хочется — можно посмотреть в сторону GTX 750 Ti с 2 ГБ видеопамяти, которая стоит порядка 3-3.5 тысяч рублей. Да, видеокарте больше пяти лет, но она все еще способна запускать все современные игры — увы, именно запускать, ибо зачастую рассчитывать на комфортный геймплей просто не приходится. Но если у вас HD+ монитор, то поиграть в новинки с консольным fps и низкими настройками графики вы вполне себе сможете.
Также, что касается видеокарт выше: следует понимать, что они — бывшие в употреблении. Так что пыль, высохшие термопрокладки и термопаста — в пределах нормы. Настоятельно рекомендуем после получения и проверки такой видеокарты разобрать и почистить ее — это может здорово снизить температуры и продлить ей жизнь.
Больше интересных вариантов, в общем и целом, нет: видеокарты с 1 ГБ видеопамяти смысла рассматривать нет вообще, они не подойдут для игр даже трехлетней давности. Также забудьте про видеокарты GTX 600 и ниже: Nvidia уже закончила поддержку мобильных видеокарт этих линеек, и когда за ними последуют десктопные — это вопрос ближайших месяцев, максимум года. Что касается RX 480/580 на 8 ГБ или GTX 1060 — они стоят неоправданно дорого.
На любой вкус, от DDR2 до DDR4
Как и процессоры, память с Ali можно брать не боясь. Причины этому просты: во-первых, производить свои чипы китайцы пока что не умеют, поэтому используют брендовые. Во-вторых, память, как и процессор, это тот компонент ПК, который работает почти что вечно, так что если при первой установке ОЗУ в материнскую плату она работает без ошибок — велик шанс, что так будет продолжаться все время жизни вашего ПК.
Что касается конкретных производителей, то в случае с DDR2 большую часть рынка занимают фирменные б/у плашки от Samsung или Kingston, и это хороший вариант, если в вашем ПК уже стоит схожая память: в таком случае вы легко сможете поставить еще 2-6 ГБ ОЗУ за 300-900 рублей, что достаточно дешево.
Но если случай запущенный, и вы решили менять всю память (например, в слотах стоят плашки на 512-1024 МБ), то лучше обратить внимание на решения китайских брендов: например, PlexHD предлагает 2 модуля по 2 ГБ за всего 300 рублей, что позволяет получить 8 ГБ по цене обеда на двоих в Макдональдсе. Правда, тут нужно быть аккуратным: проблема в том, что чипы памяти в разных партиях могут быть разными, а для корректной работы DDR2 желательно иметь одинаковые плашки. Поэтому имеет смысл заказать сразу весь нужный объем — тогда производитель положит вам одинаковые модули.
Ну и, разумеется, не стоит забывать про общую проблему всей DDR2-памяти: есть плашки для AMD, которые стоят дешево, и есть для Intel, которые стоят немного дороже. И нет, обмануть систему и поставить к Xeon память для AMD у вас не выйдет — вы просто получите черный экран при включении ПК.
С DDR3 в этом плане лучше — в общем и целом, даже «разношерстные» плашки берут стандартные частоты в 1333-1600 МГц. К тому же в продаже есть достаточно дешевые плашки и по 8 ГБ, так что даже если у вас в системе сейчас один модуль на 1-2 ГБ, и плата имеет лишь два слота, вы все равно сможете получить объем, достаточный для современных игр.
Поэтому модули от брендовых производителей можно не рассматривать, а к PlexHD можно добавить еще TANBASSH. Их плашки по 4 ГБ стоят 600-900 рублей в зависимости от вашего процессора (градация AMD/Intel сохраняется), а 8 ГБ плашки стоят соответственно 1000-1400 рублей.
А вот если вы собираете или апгрейдите систему на серверном сокете LGA2011, то вы везунчик, ибо DDR3-память с коррекцией ошибок стоит сущие копейки: например, lanshuo предлагает 4 ГБ за 400 рублей, а комплект из 4 таких плашек, дающий внушительные 16 ГБ, отдают всего за 1500. Причем тут можно вообще не смотреть на частоты — четырехканальный режим работы позволяет легко достичь скоростей разогнанной DDR4-памяти в мощных современных игровых ПК.
Что касается самой современной на данный момент памяти, стандарта DDR4, то тут никаких разделений на AMD и Intel нет. Из производителей можно выделить VEINEDA и Kllisre — они предлагают 4 ГБ плашки за 1200 рублей, а 8 ГБ обойдутся вам в 2200: да, это буквально на 100-200 рублей дешевле, чем стоит аналогичная брендовая память в России, но благодаря промокодам и кэшбеку покупка с Ali все еще может быть вполне выгодной.
Также следует понимать, что чипы в дешевой памяти далеко не высшего качества — это вам не Samsung B-die, берущий 3200 МГц, вы скорее всего остановитесь в разгоне на 2666 МГц, в лучшем случае на 2933. Так что если вы планируете разгон — увы, сэкономить на памяти не получится.
Выгоден только большой объем
Твердотельные накопители все больше и больше дешевеют, причем доходит просто до смешного: так, решения на 120-128 ГБ что на Ali, что в России стоят абсолютно одинаковых денег, порядка 1200-1300 рублей.
Означает ли это, что брать SSD из Китая больше не выгодно? Разумеется нет — присмотритесь к решениям с большим объемом, порядка 960-1000 ГБ: у проверенных брендов типа Goldenfir или KingDian они стоят порядка 5-5.5 тысяч рублей, а вот в России цена на схожие решения в крупных магазинах зачастую начинается от 7 тысяч рублей — довольно неплохой выигрыш, не правда ли?
Комплектующие, которые брать не рекомендуется
Большая часть материнских плат, блоки питания и корпуса
Разумеется, многие заметили, что некоторых комплектующих в списке выше нет. И нет, мы про них не забыли — просто они не являются лучшими для покупки по разным причинам, и брать их мы не советуем.
Начать стоит, пожалуй, с материнских плат: до сих пор хватает пользователей, собирающих ПК на LGA1155, 1156 и даже 755 с нуля. Разумеется, найти новые платы под сокеты десятилетней давности нереально. Какое решение? Правильно, взять плату на том же Ali, как и остальную сборку. Почему так делать не стоит? Потому что плата — это не серверный Xeon, работавший в условиях, близких к идеальным. Она стояла у кого-то дома, после чего, возможно, попала в ремонт, была починена и продана. Ожидать от нее можно всего что угодно: нередко они приходит с обгоревшими коннекторами, которые вполне ясно намекают на их бурное прошлое.
Разумеется, это не касается «фирменных» китайских плат от Huanan или PlexHD — они, за исключением сокетов, полностью новые, так что возможные проблемы могут быть только софтовые. А они, как мы все знаем, зачастую без особых трудностей решаются с помощью гугления.
И если с б/у материнскими платами проблемы, в общем и целом, понятны и предсказуемы, то с китайскими блоками питания все очень плохо. С одной стороны, их внешний вид внушает доверие: строгие темные корпуса, красивые наклейки, провода в оплетке. С другой стороны, самых внимательных пользователей удивят ценники — ну не может БП на 800 Вт отдаваться за 2.5 тысячи рублей.
Трансформатор просто прикручен к стенке и ни к чему не подключен
Да, так и есть — не могут. В реальности эти блоки питания имеют самую дешевую и простую элементную базу абсолютно без всяких защит, и в лучшем случае отдадут вам ватт 150-200: до первого скачка напряжения, разумеется. После этого вы в лучшем случае пойдете за новым блоком питания. Аналогичные по качеству ExeGate стоят рублей 700, так что ценник в пару тысяч рублей берется просто из воздуха, и за эти деньги лучше взять фирменный FSP PNR.
Ну и завершает трио нежелательных комплектующих с Ali корпуса. Нет, в них никакого подвоха нет — сделать плохо несколько кусков железа сложновато. Проблемы тут чисто практические: корпуса на этой торговой площадке стоят в среднем от 1.5 до 4 тысяч рублей, и не предлагают абсолютно ничего интересного в сравнении с аналогичными решениями в России. А вот доставка зачастую не бесплатна, да и всеми любимая Почта России может легко разбить боковое стекло. Конечно, вы вернете себе часть денег через спор, но нужны ли вам такие проблемы?
Купил я как-то gtx750 и стало у меня две gts450. Спор я выиграл, но осадочек остался.
А вот ссд от самсуня и ддр3 от kllisre работают без нареканий.
Все по делу, кроме видеокарт. Ушлые китайцы часто под видом gtx 950 подсовывают gts 450, даже биос редактируют, чтоб в gpu-z обозначалась как 950
Ну а RX 470/480/570/580 из китая, не после майнинга, серьезно?
имхо, на авито б/у карт по доступным ценам более чем достаточно, в том числе с не истекшей гарантией
Процы, кулеры и может быть память от проверенных продавцов, остальное брать не стоит.
Я кстати дособираю домашний комп на 2011 сокете, осталось оперу сменить. В общем и целом очень даже норм и по цене, и по производительности. По цене особенно хорошо, если оперы нужно 32+ Гб.
Хуйня. Видюху подсунут перемарк\перешивку\нерабочую. Оперативу подсунут глючную. ССД подсунут перемарк\перешивку с меньшего обЪема. Инфа 146%-узкоглазые гондоны. Я пытался все это покупать на алике. Кулеры-возмонжо.
А вот процессоры брать МОЖНО. Они рабочие 90%.
Имхо, но БП я бы брал в РФ и желательно серебряный и не ниже. Иначе можно все вложенные деньги всрать из-за плохого БП.
А кто подскажет по ноуту. Хочу купить ребенку для питона и игрух (по любому будет гонять) но не игровой за 30000К+, а более менее простой. Есть смысл тащить с али?
Если Т.С читает. есть небольшое дополнение. Судя по тестам плашки TANBASSH еще и хорошо себя показывают в разгоне
Сколько брал оперативки разной и процессоров много, всё рабочее и работает уже не первый год. А добротные башенные начинаются с ценника меньше тыщи (4 трубки). И охлаждают замечательно. По поводу блоков. 800вт конечно не может стоит 2500, но где, в России? Конечно же да, но в Китае другой мир, с другими ценниками. Пусть он и собран на средних по качеству компонентах.
1. как наити б.у. видеокарты
2. что такое материнка на 755 соккете?
Китайская кустарщина
Похоже настоящий Kingston
А тут совсем иная. Не стали видать мазюкать, просто залепили их наклейкой.
Мне жутко интересен процесс производства сего чуда, может кто разъяснит как делается это «Рукоделие»
.
.
.
. П.С. Я не хотел бы, что бы кто то подумал, что я бугурчу. Я вообще, дескать, за «recycle». Молодцы китайцы!
Ячейки памяти в SSD. Как работают, почему ломаются? SLC, MLC, TLC, QLC
Для данной статьи существует видоеверсия с большим количеством анимаций, рекомендую к просмотру именно её, вместо текстовой версии:
Принципы работы ячеек памяти, определение носителя информации, принципы считывания состояния ячейки памяти
Каждая ячейка памяти — это полевой транзистор с изолированным затвором, но не простой, а хитрый. Со сдвоенным затвором. Если кто не в курсе общая суть полевого транзистора заключается в следующем:
У нас есть исток и сток, проще говоря вход и выход, и между ними область через которую может проходить заряд от стока к истоку, и есть ещё одна отделённая область от этих структур диэлектриком, которая называется — затвор. И если подать заряд на затвор, то затвор своим электромагнитным полем начинает влиять на легированную часть транзистора между стоком и истоком и этим перекрывает возможность протекания тока между ними.
Бывают конструкции наоборот, что если не подавать заряд на затвор, то ток от стока к истоку не идёт, а если подавать — то идёт. Но общая суть — это то, что затвор — это типа ручки у крана. Когда хочешь открываешь, когда хочешь закрываешь. Ну либо замок у ворот, собственно термин «затвор» как бы и намекает, что мы им можем затворять или отворять ток между стоком и истоком. Наиболее классический вариант для ячеек памяти — это когда без подачи питания на затвор — между стоком и истоком ток не идёт, а при питании плюсом на затвор — ток — идёт. Очень удобно в части управления, но как этим сохранять информацию — не понятно. И для того чтобы сохранять информацию была придумана модификация с двумя затворами. Первый, грубо говоря, внешний. Простой обыкновенный, а второй — внутренний, хитрый, называемый «плавающим». А хитрость его в том, что он со всех сторон окружён изолятором.
То есть если поместить в него какой-то заряд, то этот заряд сам никуда не денется. И тут начинается самое интересное. Предположим, что заряда на плавающем затворе — нет. В таком случае — транзистор работает ровно так же, как и в случае когда второго затвора не было вообще. То есть не подаём заряд на затвор ток не идёт — подаём — ток идёт. Но если в плавающий затвор подать отрицательный заряд, то логика работы меняется. Если не подавать заряд на обычный затвор, то ток идти не будет, но если падать положительный заряд, то этот заряд будет компенсирован отрицательным зарядом плавающего затвора и в сумме они не дадут необходимого заряда чтобы ток через транзистор пошёл. То есть в случае активации транзистора ток через него всё равно не идёт. Иными словами — в случае подачи положительного заряда, если на плавающем ничего нет, то транзистор будет открыт, а если заряд есть — то транзистор будет закрыт. А теперь вспоминаем, что заряд в плавающем затворе никуда не девается, в том числе и в моменты когда питание на весь накопитель не подаётся вообще. То есть в любой момент времени мы можем по поведению тока сток исток понять есть ли заряд в нашем хитром затворе или нет. То есть прочитать заранее сохранённое состояние нашего транзистора, который стал уже вовсе и не транзистором, а ячейкой памяти.
Запись данных в ячейку памяти и причины ограниченности ресурса работы SSD
С запоминанием информации в целом понятно. С тем как понять что записано надеюсь тоже понятно. Остаётся понять только то, как осуществляется зарядка и разрядка плавающего изолированного затвора. То есть изменение состояния самой ячейки памяти. Иными словами — запись и стирание данных. И тут всё в общем-то не так сложно. Общая суть в том, что если приложить достаточное напряжение — то электроны могут пройти через диэлектрик, в нашем случае диоксид кремния.
При подаче высокого напряжения на Затвор и Сток электроны вынужденно проходят в область плавающего затвора
И имея вокруг нашего хитрого затвора достаточную разность потенциалов можно в него насильно впихнуть электроны, или наоборот высосать из него электроны, тем самым придав ему некий заряд, который сам по себе, без этих повышенных напряжений, никуда уже не денется долгие годы. Собственно таким образом и производится запись в ячейки памяти.
Подача отрицательного заряда на затвор «выталкивает» электроны из плавающего затвора и они притягиваются на исток
Проблема только в том, что эти насильственные действия над транзистором на повышенном напряжении разрушают диоксид кремния вокруг затвора раз за разом при каждом прохождении через него заряда.
Что ведёт к деградации свойств, и в конечном итоге к выходу ячейки памяти из строя. То есть при многократном воздействии на изолированный плавающий затвор для изменения его заряда — разрушается транзистор. То есть для транзистора существует предельное количество циклов изменения состояния этого затвора перед тем как ячейка памяти перестанет работать должным образом. Естественно разработчики накопителей в курсе проблемы, это всё учитывается в создаваемых контроллеров памяти, которые стремятся равномерно производить износ всего накопителя, вводятся резервные области для замены вышедших из строя ячеек, есть и другие софтовые оптимизации уже и на уровне операционных систем позволяющие максимально редко производить ненужные перезаписи.
Многобитные ячейки памяти. MLC, TLC, QLC. Принципы работы и отличия от однобитных. Причины падения скорости от увеличения битности.
С точки зрения работы транзистора наш дополнительный затвор позволяет сдвигать сток затворную характеристику. И кардинальное наличие заряда в плавающем затворе сдвигает эту характеристику так далеко, что рабочие напряжения для транзистора его не открывают.
Отрицательные заряды сильно смещают напряжение Затвор-исток при котором начинает идти ток сток-исток
И в показанной схеме у нас есть некий широкий диапазон напряжений на затворе который нам позволяет понять что записано условно 0 или 1. То есть мы сохраняем 1 бит информации.
И описанный метод записи и чтения — полностью цифровой. То есть транзистор либо проводит ток, либо — нет, и это мы можем интерпретировать условно в то, что записан условно 0 или 1.
И так работает SLC память, SLC расшифровывается как «Single-Level Cells», то есть одноуровневая ячейка. Величины зарядов, напряжения и прочее параметры плавающего затвора — не имеют особого значения значения, как-то произведена перезарядка затвора, как-то проводит транзистор и в целом это всё надёжно и просто работает. Однако при разных градациях зарядов на плавающем затворе — напряжения на которых начинает открываться транзистор разные. И если фиксировать не только факт проводимости транзистора, а характеристику проводимости — то можно более точно и контролируемо заряжая плавающий затвор получить больше информации при записи в одну ячейку.
Набор стоко-затворных характеристик для разного уровня заряда плавающего затвора
И это уже не цифровая запись, а аналоговая, то есть если мы зарядили чуть-чуть плавающий затвор, то и сместили мы характеристику чуть-чуть и у нас транзистор открывается если подать на затвор напряжение чуть выше чем минимально нужное, если зарядить плавающий затвор чуть сильнее, то и открыть транзистор будет ещё сложнее и т.д. В теории можно допустить бесконечное количество градаций уровней записей. Сейчас наверное некоторые из вас в шоке, но ячейки памяти в MLC, TLC и QLC SSD накопителях — это аналоговые носители информации, а не цифровые. Потому что именно таким образом и производиться запись многобитных ячеек памяти. Ячейка всё равно может сохранить только одно состояние записи, но если для однобитных ячеек записью было наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе, то в многобитных ячейках под записью понимается не факт наличия или отсутствия заряда — а величина заряда. И уже эта величина при чтении должна быть оцифрована таким образом, чтобы это можно было записать в более чем один бит информации. И при оцифровывании любого аналогового сигнала емкость его данных в цифровом виде зависит от получаемой дискретности уровней распознавания сигнала. То есть чем больше градаций сигнала можно распознать, тем выше ёмкость данных аналогового сигнала. В текущий момент дискретизация сигнала производиться не очень сильная.
Для двух битов данных нужно распознать 4 уровня величины сохранённого заряда,
для трёх бит нужно распознать 8 уровней величины заряда,
и для 4-х бит нужно распознавать до 16 уровней заряда.
И распознование производится по смещению характеристики открытия транзистора. Грубо говоря, если у нас разбит весь диапазон тестирования открытия транзистора на 16 диапазонов, то надо по очереди тестировать каждое напряжение на затвор и зная при каком из них у нас в достаточной степени открылся транзистор — такой уровень и считать записанным в этом транзисторе. И просто каждой градации этих напряжений даются порядковые номера которые и есть цифровая интерпретация уровня заряда плавающего затвора. И для 16 градаций или для QLC памяти — это 4 бита. Некоторые компании грозятся сейчас выпустить 5 битные ячейки.
Как вы понимаете именно по технике разницы с 4-х битными не будет, но градаций будет уже не 16, а 32. То есть надо очень точно попадать в нужный диапазон заряда при наполнении плавающего затвора, и гораздо сложнее становится процесс считывания сигнала, вернее процесс оцифровки уровня заряда плавающего затвора. Естественно при этом снижается скорость работы с памятью. Кроме того — напомню, что процесс наполнения затвора зарядом — это аварийный для транзистора режим работы, и этот аварийный режим надо ещё очень точно контролировать, чтобы действительно был помещён нужный заряд, а не чуть больше или чуть меньше, потому что если заряд не попал в строгие рамки, то при его интерпритации он может дать другие цифровые значения. И, естественно, чем больше градаций — тем сложнее попасть в нужный диапазон. И в многобитных ячейках — неверная запись не является чем-то очень редким, поэтому для записи всегда требуется контроль на ошибки, что отнимает время, снижая скорость работы, вдобавок в случае ошибочной записи требуется перезапись ячеек в странице в которой была произведена ошибочная запись, что, как вы понимаете, ещё и снижает ресурс.
Причины снижения ресурса работы накопителей, запись накопителей с уплотнением данных.
Но не только этим снижается ресурс записи на многобитных ячейках. Как вы могли понять из теории — аппаратных различий для MLC, TLC или QLC памяти — нет. Меняется только процесс интерпретации записи, который задаётся программно. Иными словами если контроллер накопителя это позволяет, то QLC можно записывать в более простых для записи TLC, MLC или SLC режимах. Что сейчас активно и делается, хотя не на всех накопителях, но если пару лет назад было редкость — перезапись накопителей с уплотнением, то сейчас редкость когда такого не происходит. Работу уплотнения записи отлично было видно в тестах накопителей, когда при полной последовательной записи скорость падала в несколько градаций.
Пример «Ступенчатой» скорости записи, когда она падает градациями несколько раз
Разберёмся в том, что при этом происходило с накопителем.
Вначале накопитель занимал весь свой объём записывая всё в однобитном режиме. То есть абы какой заряд уже абы как смещает стоко-затворную характеристику, но этого достаточно чтобы записать один бит на ячейку. И в таком режиме весь объём ячеек быстро заканчивается. По данным о диске он ещё записан совсем чуть-чуть, но на самом деле он полностью забит данными. И для дальнейшего записывания накопитель начинает уплотнять запись. Но происходит это исключительно перезаписыванием. То есть надо во временное место скопировать данные страницы, далее затереть записанные данные, то есть вытащить из плавающих затворов заряды, дальше взять новый кусок информации, собрать его со старым куском информации и записать в те же ячейки, но уже не абы как, а, допустим, в MLC режиме, то есть с 4-мя градациями уровней заряда плавающих затворов. Далее накопитель так же заполняется полностью уже в режиме MLC. Если надо продолжить запись, а в MLC режиме место опять закончилось, то процесс уплотнения, то есть перезаписи в более плотном формате производиться уже в TLC режиме. Далее ещё может быть произведена запись в QLC режиме. Подобный механизм работает и в случае если вам хватило места до уплотнения. Как только вы перестаёте заполнять накопитель он автоматически начинает уплотнять запись, чтобы в случае необходимости он мог опять кратковременно вести запись в однобитном режиме используя свободный остаток. Хотя ещё раз напомню, что не все накопители так делают. В некоторых выделен фиксированный объём для быстрой записи и дальше накопитель заполняется уже с финальной плотностью.
Естественно такое огромное количество травмирующих ячейки перезаписей а также перезаписей из-за ошибок — крайне негативно сказывается на долговечности работы ячеек. Кроме того при большей плотности записи для изменения одного и того же объёма данных записанных случайным образом потребуется перезаписать больше страниц накопителя. Иными словами — ресурс накопителей от увеличения плотности резко падает и, в общем-то, причин на это аж несколько.
Надеюсь теперь полученные знания сделают для вас тесты накопителей увлекательнее.